据报道，Navitas Semiconductor推出了一系列新型第三代“快速”（G3F）650 V 和 1,200 V SiC MOSFET。这些 MOSFET 旨在提供最快的开关速度、最高的效率和更高的功率密度。它们专门针对 AI 数据中心电源、车载充电器 (OBC)、快速 EV 路边增压器以及太阳能/储能系统(ESS) 等应用进行了优化。广泛的产品选择包括各种行业标准封装，从 D2PAK-7 到 TO-247-4。这些封装专门用于满足需要高功率和高可靠性的苛刻应用的要求。
G3F 系列旨在实现卓越的开关性能，与竞争的 CCM TPPFC 系统相比，硬开关性能系数 (FOM) 提高了 40%。这将使即将推出的 AI 电源单元 (PSU) 的功率增加到最高 10 kW，并将每机架功率从 30 kW 增加到 100-120 kW。
G3F GeneSiC MOSFET 采用一种称为“沟槽辅助平面”的独特工艺制造而成。此外，这些 MOSFET 不仅超越了沟槽 MOSFET 的性能，而且与竞争产品相比，还具有更高的弹性、制造简易性和成本效益。G3F MOSFET 具有卓越的效率和快速的性能，与其他供应商的 SiC 产品相比，外壳温度可显著降低 25°C。此外，它们的使用寿命可延长三倍。
图：Navitas推出第三代快速SiC MOSFET
“沟槽辅助平面”技术可使 RDS(ON) 随温度的升高而最小，从而在整个工作范围内将功率损耗降至最低。与竞争对手相比，它在实际高温条件下的 RDS(ON) 降低了 20%。
此外，所有 GeneSiC MOSFET 均具有最高记录的 100% 测试耐雪崩能力、30% 更长的耐短路时间以及精确的阈值电压分布，可轻松实现并联连接。因此，GeneSiC MOSFET 非常适合需要快速上市的大功率应用。
Navitas 开发了一种新的高功率密度 AI 服务器 PSU 参考设计。该设计采用 CRPS185 外形尺寸，使用额定电压为 650 V、40mOhms 的 G3F FET 实现交错式 CCM TP PFC 拓扑。LLC 级的 GaNSafe™ 电源 IC 可提供 138 W/inch3 的功率密度和超过 97% 的峰值效率，符合欧洲目前要求的“Titanium Plus”效率标准。Navitas 在电动汽车市场推出的创新型 22 kW、800V 双向 OBC 和 3KW DC-DC 转换器采用 1,200 V/34 mOhm (G3F34MT12K) G3F FET。这使转换器的功率密度达到 3.5 kW/L，峰值效率达到 95.5%。
