TrendForce最新报告指出，DRAM与NAND快闪记忆体的现货价格短期内难以上涨，原因有二：一是市场库存充足；二是相关政策的推出导致DRAM价格造成进一步影响。
NAND Flas市场的价格动态显示，由于供应短缺，近期晶圆价格有所上涨。但是这种上涨趋势并没有持续。据报道，5112Gb 3D TLC NAND晶圆现货的价格在最近一周下降了0.57%，降至每片3.309美元。
与NAND类似，DRAM市场也面临着价格压力，与合约价形成鲜明对比。其原因是模组厂库存过剩，模组厂往往在现货市场上购买DRAM。此外，消费产品市场疲软也导致价格下跌。据TrendForce的报道，尽管供应商努力限制供应以支撑价格，但随着第二季度更多芯片进入市场，特别是DDR5产品，预计整体现货价格将会有所下降。主流芯片（例如DDR4 1Gx8 2666MT/s）的平均现货价格从上周的1.940美元下降了0.05%，至1.939美元。
导致价格下跌的另一个原因是市场政策的打击产品走私，这导致重新植球的DRAM芯片价格进一步下跌。重新植球是指拆除显卡核心芯片（GPU），然后进行重新焊接的过程。由于GPU采用BGA（或类似的构型）封装，底部没有针脚而是由多个锡点组成（PCB背部也没有焊接口），因此在焊接时需要使用特定的技术和工具。
图：NAND和DRAM价格下跌（图源：三星）
市场分析人士指出，尽管合同价格的上涨对NAND Flash晶圆和其他相关产品的价格提供了一定支撑，但现货市场的报价并未因此而放松。供应商的供应量并没有显著扩大，整体价格动态略好于DRAM现货市场。然而，随着市场供应的增加，预计价格将面临进一步的压力。
在存储市场，像三星、SK海力士、美光等厂商竞争激烈，为了抢占市场份额，这些头部厂家纷纷降价销售也是导致价格下降的原因。为了缓解价格下跌的压力，部分存储芯片厂商开始削减开支、减少产能，以期稳定价格。
同样，由于 SSD 制造商（其中一些制造商生产世界上 最好的 SSD）库存充足，现货 NAND 闪存市场交易疲软，尽管现货供应商降价，但需求仍未复苏。这已经导致现货价格和合约价格之间的分歧持续存在。此外，2024 年第三季度的库存补充需求存在不确定性。
总体而言，由于需求疲软，DRAM 和 NAND 闪存市场在定价方面都面临重大挑战。TrendForce 预计，由于市场动态和政府打击等外部压力，价格短期内不会回升。
不久前，Kioxia宣布停止3D NAND内存减产，并准备增加产量，这可能会提高市场份额，也可能会对3D NAND供应和价格产生重大影响。
