美光科技和英特尔正在合作将多路复用双列直插式内存模块（MRDIMM）推向市场，这一创新技术旨在为数据中心和高性能计算（HPC）应用提供更高的内存带宽和更低的延迟。美光科技最近宣布已出样MRDIMM，该产品具备高达256GB的容量和比传统RDIMM低40%的延迟，为AI推理和高性能计算应用提供了强大的支持。MRDIMM模块支持从32GB到256GB的广泛容量选择，这使得它们非常适合内存密集型应用，如AI推理和HPC工作负载，这些应用通常需要每个DIMM插槽超过128GB的内存。
MRDIMM技术通过结合两个DDR5 DIMM，向主机提供双倍的数据速率，从而显著提升了内存的带宽。这种设计允许同时访问两个列（Rank），使得内存模块能够以更高的速率传输数据。例如，如果将两个DDR5 DIMM以4400MT/s的速度组合，输出结果将是8800MT/s 。MRDIMM模块通过DDR5接口和技术，实现了与现有处理器平台的无缝兼容，同时提供了更高的带宽、更低的延迟以及多样的容量规格。与RDIMM相比，MRDIMM的有效内存带宽提升高达39%，总线效率提升超过15%。
图：美光和英特尔推出MRDIMM模块
美光的MRDIMM与英特尔的至强6处理器兼容，提供了从32GB到256GB的广泛容量选择，并涵盖了标准型和高型外形规格（TFF），适用于高性能的1U和2U服务器 。这种高型外形规格（TFF）模块优化了散热设计，能够在同等功耗和气流条件下，使DRAM温度降低高达20摄氏度，为数据中心带来更高效的散热，并优化了内存密集型工作负载的总系统任务能耗 。适用于多种工作负载。
英特尔副总裁Matt Langman表示，MRDIMM实现了与现有英特尔至强6处理器平台的无缝兼容，为客户提供了更高的灵活性和更多选择 。联想集团副总裁Scott Tease也指出，随着处理器核心数的指数级增长，MRDIMM将帮助缩小内存带宽差距，满足系统性能平衡的需求 。
据悉，美光MRDIMM现已开售，并预计将于2024年下半年批量出货。后续几代MRDIMM产品将继续提供比同代RDIMM高45%的单通道内存带宽 。这表明MRDIMM技术有望成为未来AI服务器和超级计算机系统的主内存的优选方案，特别是在对大容量、高性价比和可扩展性有特定需求的场景中 。
