美光此前曾宣布计划在一年内将其高宽带内存市场份额从目前的“中个位数“提高到越25%左右。根据日经新闻网发布的报道显示，美光将扩大其在台湾的生产能力，加强其在美国的研发业务，甚至考虑在马来西亚生产HBM3E。
HBM作为一种专为高性能计算设计的内存架构，以其高带宽、低延迟和能效比的优势，成为人工智能（AI）、图形处理和高性能计算等领域的关键技术。随着AI技术的快速发展，对于更高性能、更低功耗的内存需求日益增加，Micron的HBM3E技术正好满足了这一市场需求。
根据Micron的全球扩张计划，该公司正在全球范围内扩建HBM3E的生产线，以确保能够满足不断增长的市场需求。在Micron位于台湾台中市的工厂，作为最大的HBM内存生产基地，已经计划增加产能，以满足全球客户对HBM3E内存的需求。
同时，在美国爱达荷州博伊西的Micron总部，公司也在扩建与HBM相关的研发和生产设施。这些设施将包括技术验证产线和量产线，以确保Micron能够持续推出领先市场的HBM3E产品。此外，Micron还计划在马来西亚建设HBM生产能力，以进一步扩大其全球生产网络。该公司已经在马来西亚进行商品内存芯片测试和组装。业内人士表示，美光不太可能在马来西亚生产真正的 DRAM 芯片，因为内存工厂需要数年时间才能建成和装备。但在马来西亚测试 HBM3E 芯片甚至组装 HBM3E 是有可能的。
图：美光将在全球扩大HBM3E内存生产
Micron的HBM3E技术具有显著的优势。相比竞争对手的产品，Micron的HBM3E内存功耗更低，性能更出色。这一优势使得Micron的HBM3E内存在市场上备受欢迎，并被广泛应用于英伟达等AI计算芯片巨头的产品中。英伟达预计今年将购入全球HBM产能的约48%，这进一步证明了市场对高性能内存的巨大需求。
目前，Micron在HBM内存市场的产能占比仅为约3%，但公司有着雄心勃勃的目标。Micron计划到2025年前将HBM领域的市场份额提升至约20%，这一比例与其在动态随机存取存储器（DRAM）行业的整体营收份额相当。为了实现这一目标，Micron不仅需要加强生产能力的建设，还需要不断推动技术创新和产品升级。
随着AI技术的持续演进和数据中心对高性能内存需求的不断增长，Micron在HBM领域的市场份额有望进一步提升。通过全球扩张计划和技术创新，Micron将有望成为HBM领域的领军企业，为全球客户提供更加卓越的高性能内存解决方案。同时，这也将为Micron公司的长期发展奠定坚实的基础，并为其在全球半导体市场中的竞争地位增添新的动力。
