有报道称Lam Research Corp推出了Lam Cryo3.0技术。这是该公司经过生产验证的第三代低温电介质蚀刻技术，进一步巩固了其在3D NAND闪存蚀刻领域的领导地位随着生成式人工智能技术的蓬勃发展，全球对于更高容量、更高性能存储解决方案的需求急剧攀升。在这一背景下，Lam Cryo3.0技术应运而生，它凭借超低温度环境下的高功率受限等离子反应技术和前沿的表面化学创新，实现了较高的蚀刻精度与轮廓控制能力。
据Lam Research全球产品部高级副总裁介绍：“Lam Cryo 3.0技术的问世，为客户迈向千层3D NAND铺平了道路。截至目前，已有超过500万片晶圆采用我们的低温蚀刻技术成功产出，而此次推出的最新技术更是3D NAND生产领域的一次重大突破。它能够在埃级尺度上精准打造高纵横比（HAR）特征，同时显著降低环境影响，蚀刻速率较传统介电工艺提升逾两倍，是AI时代NAND制造不可或缺的关键技术。”
目前通过垂直堆叠存储单元层以实现容量增长已成为3D NAND的主流趋势，而这一过程高度依赖于对深且窄的HAR存储通道的精确蚀刻。任何微小的偏差都可能对芯片的电气性能造成不利影响，进而影响整体产量。Lam Cryo 3.0技术正是针对这些挑战进行了深度优化，确保了蚀刻过程的稳定性和一致性。
Counterpoint Research的联合创始人兼研究副总裁Neil Shah对此给予了高度评价：“人工智能的迅猛发展正以前所未有的速度推动着云端与边缘计算对闪存容量与性能的需求增长。为应对这一挑战，芯片制造商正加速推进NAND闪存的技术迭代，以期在2030年前实现千层3D NAND的商业化应用。Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术的出现，无疑是这一进程中的重要里程碑。它以近乎完美的精度和控制力，实现了内存通道的深度蚀刻，同时保持了极低的轮廓偏差，显著提升了先进的3D NAND的产量和性能，为芯片制造商在AI时代的竞争中赢得了宝贵优势。”
图：Lam Research推出Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术（图源：CnBeta）
Lam Cryo 3.0融合了公司独有的高功率受限等离子体反应器、工艺创新以及超低温环境下的新型蚀刻化学成分，与Lam最新的Vantex®介电系统相结合，实现了蚀刻深度和轮廓控制的双重飞跃。该技术能够轻松应对深度达10微米的内存通道蚀刻任务，并确保从顶部到底部的特征关键尺寸偏差小于0.1%。
此外，Lam Cryo 3.0还在生产效率、可持续性以及设备投资优化方面展现出显著优势。相比传统电介质工艺，其蚀刻速度提升高达2.5倍，晶圆间重复性更佳，有助于降低生产成本并提高产量。同时，该技术还大幅降低了每片晶圆的能耗（降低40%）和排放量（减少高达90%）。
Lam Cryo 3.0技术能够无缝集成到Lam最新的Vantex系统中，并与该公司的Flex® HAR电介质蚀刻机产品组合兼容，为所有主流内存制造商提供了强有力的支持。这一兼容性不仅确保了技术的快速普及和应用，也为3D NAND的批量生产提供了可靠的保障。
回顾过去，Lam Research在晶圆制造蚀刻技术领域已深耕二十年之久，见证了七代3D NAND技术的演进。从2019年成功推出全球首款量产的低温蚀刻产品至今，Lam在NAND生产中应用的HAR介电蚀刻室数量已超过7500个，其中近1000个已升级为低温蚀刻技术。这一系列成就不仅彰显了Lam Research的技术实力和市场地位，更为其未来的持续发展奠定了坚实的基础。
如今，Lam Cryo 3.0技术已正式面向全球领先的内存制造商推出。
