存储技术巨头铠侠宣布，其多项创新研究成果将在即将于12月7日至11日在美国旧金山举办的IEEE国际电子设备会议（IEDM 2024）上亮相。 作为半导体存储领域的领军企业，铠侠一直致力于推动存储技术的发展，以满足日益增长的数据存储需求，并为人工智能、大数据等新兴技术提供坚实的底层支持。
IEDM 2024上，铠侠将重点展示以下三大创新技术：
氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）： 铠侠与联合南亚科技共同开发的OCTRAM技术有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等领域具有广阔的应用前景。通过采用氧化物半导体材料并优化晶体管结构，OCTRAM实现了极低的漏电流，从而降低了整体功耗。
高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器）技术： 与SK海力士联合开发的高容量交叉点MRAM技术，通过将高密度选择器与磁隧道结相结合，实现了业界领先的单元密度。同时，该技术还采用了创新的读出方法，有效降低了读取干扰，提升了存储器的可靠性。这项技术在人工智能和大数据处理等领域具有巨大的应用潜力。MRAM因其非易失性、高速读写、无限写入次数和高可靠性等特性，被认为有望在多种应用领域替代现有的存储技术。MRAM的基本单位为磁隧道结（MTJ），利用材料的磁阻变化来存储数据。
图：铠侠将推出多项存储创新技术（图源：financial post）
具有水平单元堆叠结构的下一代3D存储技术：铠侠自主研发的下一代3D闪存技术采用水平单元堆叠结构，相比传统的垂直堆叠结构，具有更高的位密度和可靠性。这项创新有望进一步提升闪存的存储容量和性能，满足未来数据存储不断增长的需求。3D DRAM通过垂直堆叠技术，将DRAM单元尺寸大幅减少，提高能效的同时降低单元面积。这种技术有望成为推动DRAM微缩的关键因素，满足不断增长的存储需求和性能要求。
此外，三星电子等公司正在加速3D DRAM的商业化进程，将其视为改变产业游戏规则的重大举措。3D DRAM被视为传统DRAM架构面临性能与工艺极限情况下的必由之路。
这些创新技术的推出，不仅彰显了铠侠在存储技术领域的领先地位，也为整个半导体行业的发展注入了新的活力。 随着人工智能、物联网等技术的快速发展，对存储器的性能和容量提出了更高的要求。铠侠的这些创新成果有望推动存储技术不断突破，为未来的数字世界提供更强大的底层支撑。
铠侠在IEDM 2024上发布的多项存储技术创新，标志着存储技术正在向更高密度、更低功耗、更高性能的方向发展。这些创新不仅将推动存储器产业的发展，也将为人工智能、大数据等新兴技术的发展提供更加坚实的基础。
