据报道，英特尔介绍了其 18A 制造技术（1.8nm 级）相较于 Intel 3 制程工艺的优势。正如预期的那样，新制程节点将在功耗、性能和面积（PPA）指标上带来显著提升，为客户端和数据中心产品提供切实的优势。
一、PPA 指标的显著提升
PPA 指标是半导体行业用于衡量芯片制程工艺性能的核心评估标准，代表 性能（Performance）、功耗（Power）、面积（Area） 三个关键维度。这三项指标相互关联、彼此影响，共同决定了芯片的综合竞争力，也是芯片设计厂商和晶圆代工厂优化制程技术的核心目标。英特尔声称，与采用 Intel 3 制程技术制造的相同模块相比，其 18A 制程工艺在相同电压（1.1V）和复杂度下，性能提升 25%；对于标准 Arm 核心子模块，在相同频率和 1.1V 电压下，功耗降低 36%。在较低电压（0.75V）下，18A 的性能提高 18%，功耗降低 38%。此外，与 Intel 3 相比，18A 始终实现 0.72 倍的面积缩放。
二、关键技术：GAA 晶体管和 PowerVia 背面供电网络
英特尔的 18A 制造技术是该公司首个依赖全环绕栅极（GAA）RibbonFET 晶体管并采用 PowerVia 背面供电网络（BSPDN）的节点，这两项功能实现了主要的 PPA 优势。
从标准单元布局比较可以看出，在高性能（HP）和高密度（HD）库中，18A 相较于 Intel 3 实现了显著的物理缩放。在 HP 库中，18A 将单元高度从 240CH 降低至 180CH；在 HD 库中，从 210CH 降低至 160CH，垂直尺寸减少约 25%。这种更紧凑的单元架构允许增加晶体管密度，直接有助于提高面积效率。
PowerVia BSPDN 的使用通过将电源线从 IC 的正面卸载，实现了更高效的垂直布线，为信号布线腾出空间，并进一步压缩布局。此外，改进的栅极、源 / 漏极和接触结构提高了整体单元均匀性和集成密度。这些增强功能共同使 18A 能够提供更好的单位面积性能和能源效率，支持更先进和紧凑的芯片设计。
图：英特尔揭秘下一代 18A 晶圆技术：性能大幅提升，功耗更低，密度更高
三、生产计划与第三方合作
据报道，英特尔有望在今年晚些时候开始大规模生产用于客户端 PC 的代号为 Panther Lake 处理器的计算小芯片，然后在 2026 年初开始生产用于 Clearwater Forest 数据中心系统的小芯片。此外，该公司有望在 2025 年中期完成首批基于 18A 的第三方设计的流片。
显然，业界对开发基于 18A 的第三方芯片存在兴趣。除了提交一篇描述其 18A 技术的通用论文外，英特尔还计划提交一篇描述使用 18A 制程节点和 BSPDN 实现的 PAM-4 发射器的论文，该论文由英特尔、Alphawave Semi（一家合同芯片设计商和 IP 供应商）、苹果和英伟达的工程师共同撰写。这并不一定意味着苹果或英伟达将把 18A 用于生产芯片，但这至少表明它们有兴趣进行研究。
四、与台积电 N2 制程的竞争与挑战
说到苹果和英伟达，台积电表示，几乎所有合作伙伴都计划采用其 N2（2nm 级）制程技术，因此可以合理预期该节点将比英特尔的 18A 得到更广泛的应用。尽管如此，对英特尔来说，关键是要证明它能够开发出具有竞争力的节点并将其大规模量产，因此 18A 将对英特尔代工业务的未来发挥至关重要的作用。
还有一个关键问题是，当移除 PowerVia/BSPDN 时会发生什么。此前听说该技术会增加相当大的成本，因此很可能有些客户会选择放弃使用。那么，没有该技术的 18A 竞争力如何？有该技术的 18A 与台积电的制程成本相比又如何？这些问题可能需要一段时间才能得到答案。
目前，英特尔甚至在避免将更多产品采用 Intel 3 制程，这可能是为了将资源转移到 18A 上。随着 18A 制程技术的推进，英特尔能否在先进制程领域重新获得竞争力，值得持续关注。
