近日，英特尔公司详细介绍了其下一代英特尔3工艺节点，该节点比英特尔4工艺节点性能提升了18%，同时密度也有所提高。
Intel 3工艺结点代表了英特尔在制程工艺方面的最新成果。相较于上一代的Intel 4，Intel 3实现了约0.9倍的逻辑微缩，这意味着在相同的面积下，能够容纳更多的晶体管，从而显著提高处理器的集成度和性能。同时，Intel 3在能效方面也取得了显著的提升，每瓦性能提升高达17%，这一成就得益于制程工艺的优化以及对EUV（极紫外光刻）技术的深入应用。EUV技术作为半导体制造领域的一项重要突破，具有高精度、高效率的特点。在Intel 3的制程工艺中，英特尔将EUV技术应用于更多的生产工序中，提高了生产效率并提升处理器性能。此外，Intel 3还引入了更高密度的设计库和优化的互连技术堆栈，这些改进提升了晶体管的驱动电流并减少了通孔电阻，从而进一步提升了处理器的整体性能。
Intel 3工艺结点的成功推出，迅速得到了市场的积极响应。首先，代号为Sierra Forest的英特尔®至强®6能效核处理器，作为首款采用Intel 3制程节点的产品，已经在数据中心市场取得了显著的成绩。这款处理器凭借其卓越的性能和能效表现，为云计算领域注入了新的活力。
图：英特尔 3 工艺节点详情：相同功率下性能提升 18%，密度提高 10%，现已搭载 Xeon 6 CPU
英特尔并不满足于当前的成就，它已经规划了Intel 3工艺的多个演化版本，以满足不同客户的需求。面向AI时代的巨大先进封装需求，Intel 3-T将采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；Intel 3-E将实现功能拓展，如射频和电压调整等；而Intel 3-PT则将在增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。
此外，预计于2024年第三季度推出的英特尔至强6性能核处理器（代号Granite Rapids），也将基于Intel 3打造。这款处理器将面向高端计算市场，为用户提供更加出色的性能体验。
随着Intel 3的成功量产，“四年五个制程节点”计划进入“冲刺阶段”。接下来，英特尔将开启半导体的“埃米时代”， 其中Intel 20A和Intel 18A工艺将分别于2024年下半年和2025年开始生产，为英特尔代工客户开放。更多新技术将投入使用。这些新技术的引入将进一步推动半导体技术的发展，为未来的智能设备、云计算、物联网等领域带来更加卓越的性能和能效表现。
