随着人工智能处理器电力需求的增加，服务器电源需要在不超过服务器机架规定尺寸的前提下，提供越来越多的电力。这是因为GPU的能源需求激增，专家预测，到2030年底，每片芯片功耗可能达到2kw甚至更多。
英飞凌公司表示，能源的需求和市场用户群体等的需求将促使SiC MOSFET的开发扩展到650V以下的电压。该公司现在正推出全新的CoolSiC MOSFET 400V系列，该系列是基于今年3月份推出的第二代（G2）CoolSiC技术的升级版。SiC MOSFET在开关时的损耗较低，这使得它们在功率转换应用中比传统的硅基MOSFET更高效。
这款新的MOSFET产品组合是专为AI服务器的AC/DC阶段而开发的，与英飞凌今年5月份公布的PSU路线图相辅相成。此外，这些设备还适用于太阳能和储能系统（ESS）、逆变电机控制器、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑的固态断路器。
图：英飞凌CoolSiC 400V MOSFET
英飞凌公司相关负责人表示：“英飞凌提供广泛的高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合，以满足AI服务器电源的苛刻设计和空间要求，”“我们致力于通过CoolSiC MOSFET 400V G2等先进产品为客户提供支持，以在先进的AI应用中实现最高的能源效率。” 由于高效率和高温操作的特性，SiC MOSFET可以设计得更小巧，有助于减小系统的整体尺寸。
与现有的 650V SiC 和硅 MOSFET 相比，新系列具有超低传导和开关损耗。AI 服务器 PSU 的 AC/DC 级采用多级 PFC 实现，功率密度可达到 100W/in3 以上，效率可达到 99.5%。与使用 650V SiC MOSFET 的解决方案相比，这提高了 0.3 个百分点。此外，通过在 DC/DC 级中实现 CoolGaN 晶体管，AI 服务器 PSU 的系统解决方案得以完善。通过这种高性能 MOSFET 和晶体管的组合，与现有解决方案相比，电源可提供超过 8kW 的功率，功率密度提高了 3 倍以上。
全新 MOSFET 产品组合共包含 10 种产品：五种 R DS(on)类别，从 11mΩ 到 45mΩ，采用开尔文源 TOLL 和 D 2 PAK-7 封装以及 .XT 封装互连技术。T vj = 25°C时 400V 的漏源击穿电压使其适合用于 2 电平和 3 电平转换器以及同步整流。这些组件在恶劣的开关条件下具有很高的稳健性，并且经过 100% 雪崩测试。高度稳健的 CoolSiC 技术与 .XT 互连技术相结合，使设备能够应对由 AI 处理器的功率需求突然变化引起的功率峰值和瞬变。连接技术和低且正的 R DS(on)温度系数均可在结温较高的工作条件下实现出色的性能。CoolSiC MOSFET 400V 产品组合的工程样品现已上市，并将于 10 月开始批量生产。
