据悉，英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅（SiC）功率晶圆厂的第一阶段建设。
英飞凌科技的这一项目是马来西亚政府为提升国内芯片产量而制定的1000亿美元计划的核心部分。该计划旨在加强马来西亚在全球半导体行业中的地位，使其成为行业的佼佼者。随着居林3号晶圆厂组件计划于8月正式投产，SiC生产预计将在2024年底开始，这标志着英飞凌在碳化硅领域的生产能力将得到显著提升。目前，英飞凌在碳化硅功率器件市场占据着重要地位，其市场占有率仅次于意法半导体，位居第二。此次建造的完成有望提高生产能力，提升英飞凌的市场占有率。
碳化硅作为一种新型半导体材料，以其优异的电性能和热性能，在高功率、高频率和高温电子设备中具有广泛的应用前景。英飞凌的这一晶圆厂设计具有高度的适应性，能够适应新型工具、不同产量和结构规格的要求，这不仅凸显了公司对技术进步的承诺，也体现了其满足市场动态需求的能力。SiC拥有10倍于硅材料的临界电场强度，使得在功率器件中可以使用更薄的漂移区来维持更高的阻断电压，同时带来更低的正向压降以及导通损耗。
图：英飞凌居林厂200mm碳化硅晶圆第一阶段完成
英飞凌的碳化硅晶圆厂在行业内具备显著的优势，英飞凌的碳化硅产品采用沟槽栅技术，这一技术相较于大部分竞争对手所用的平面栅技术领先1-2代。这种技术使得英飞凌能够用较小的芯片面积实现相同的性能。此外，英飞凌专利的半包槽栅结构设计也可以确保英飞凌的产品和耐用性方面得到显著的提高。
英飞凌在碳化硅晶圆领域的竞争对手Wolfspeed也在积极布局，两家公司尚未公布具体的计划产能，但这场竞争无疑为半导体领域增添了令人兴奋的元素，推动了行业的创新和进步。此外，ST微电子在意大利卡塔尼亚的全球首座集成碳化硅晶圆厂和批量晶圆厂的资金批准，也标志着碳化硅技术在全球范围内发展的更广泛趋势。
英飞凌居林晶圆厂的建设不仅是对公司自身发展战略的一次重要投资，也是对马来西亚乃至全球半导体产业发展趋势的积极响应。英飞凌居林厂200mm碳化硅晶圆第一阶段建设的完成是英飞凌扩大生产力、加强市场地位的重要一步，同时也对马来西亚乃至全球半导体产业产生了积极影响。
