全球领先的半导体公司英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）近日宣布，已成功开发出全球首款300毫米（约12英寸）功率氮化镓（GaN）晶圆技术。这一技术突破预计将显著推动GaN功率半导体市场的增长，并为工业、汽车、消费电子、计算和通信应用带来显著的改变。
与现有的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆技术意味着在单个晶圆上可以制造更多的芯片，从而提高了生产效率和规模经济。这一进步不仅能够增加每晶圆的芯片产量，达到2.3倍，同时也有助于降低生产成本，使得氮化镓技术更加经济高效。氮化镓功率半导体因其在效率、尺寸和重量方面的优势，在多个领域中得到快速采用，包括AI系统的电源供应器、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。
英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。” 英飞凌已经在奥地利菲拉赫的功率工厂成功制造了300毫米GaN晶圆，并计划根据市场需求进一步扩大产能。该公司将在慕尼黑举行的电子展上展示其300毫米GaN技术。
图：英飞凌成功开发全球首个300毫米Power GaN技术
这一重大进展彰显了英飞凌在氮化镓和电源系统创新方面所取得的领导地位。英飞凌的这一创新不仅展示了其在氮化镓和功率系统领域的创新领导地位，而且也预示着该公司在快速增长的氮化镓市场中的领导决心。预计到2028年，全球先进封装市场规模将达到786亿美元，英飞凌的这一技术突破无疑将为这一预测增添信心。
英飞凌科技股份公司还在马来西亚启用了全球最大且最高效的碳化硅功率半导体晶圆厂，这将进一步巩固和增强英飞凌在全球功率半导体市场的领导地位。新晶圆厂100%使用绿电并在运营实践中采取先进的节能和可持续举措，这标志着英飞凌在推动可持续发展方面的坚定承诺。
随着技术的不断进步和市场的扩大，预计未来几年内，先进封装技术将为半导体行业带来更多的变革和发展机遇。英飞凌的300毫米GaN晶圆技术的推出，不仅是公司技术实力的展示，也是对整个半导体行业未来发展的一个强有力信号。随着技术的成熟和规模化生产，成本将逐渐降低，使得氮化镓更加具有市场竞争力。同时，随着国产化进程的加速，国内氮化镓厂商的市场份额也将逐渐增加。氮化镓的应用领域正在不断扩展，除了汽车领域外，智能家居、智慧养老等领域的应用也逐渐增多。市场竞争将愈发激烈，企业需要在技术创新、产品质量、成本控制等方面不断努力，才能在市场竞争中脱颖而出。
