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英飞凌发布下一代碳化硅MOSFET沟槽技术:CoolSiC

2024年3月14日
  • 编辑:Ana Hu
  • 中国出海半导体网

 

英飞凌科技公司的最新举措引起了广泛关注,他们3月5日在其官网上宣布,在电力系统和能源转换领域推出了下一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽技术。这项名为CoolSiC™ MOSFET的新技术,标志着能源行业迈向更高效率和更环保的重要一步。通过提高MOSFET的关键性能指标,如存储能量和电荷,这项技术使整体能源效率提高了20%。这对于推动脱碳进程以及应对日益紧迫的气候变化挑战具有重要意义。

图:英飞凌发布下一代碳化硅MOSFET沟槽技术

图:英飞凌发布下一代碳化硅MOSFET沟槽技术

CoolSiC MOSFET 第二代(G2)技术利用了碳化硅的性能,以降低能量损耗,从而提高功率转换效率。这对于多个领域,如光伏、储能、电动汽车充电和工业电源等,都具有巨大的潜力和优势。例如,配备CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站可以实现功率损耗的10%减少,并提高充电容量,而不需要改变外形尺寸。这对于推动电动汽车的普及和可持续发展具有重要意义,有望加速汽车行业向更环保的方向发展。

对于可再生能源领域而言,采用CoolSiC G2设计的太阳能逆变器可以实现尺寸的缩小,同时保持高功率输出,降低每瓦成本。这为可再生能源的更广泛应用提供了技术支持,有助于推动能源结构的转型和可持续发展。此外,英飞凌的创新半导体技术不仅包括碳化硅,还涵盖了硅和氮化镓(GaN)等领域,为现代设计人员提供了更多选择和更高效的解决方案。

从长远来看,这项技术的推出标志着能源行业向更加智能、高效和环保的方向迈出了重要的一步。作为一家领先的科技企业,英飞凌展示了他们在推动创新、推动行业转型方面的承诺。在应对全球气候变化和能源需求日益紧迫的背景下,这种创新对于实现可持续发展目标至关重要。

英飞凌的技术创新不仅有助于提高能源利用效率,还有助于减少对环境的负面影响。期待看到这项技术在未来的广泛应用,为构建更清洁、更绿色的能源体系做出更大贡献。同时,也希望更多的企业能够加入到可持续发展的行列,共同推动全球向更加可持续的未来迈进。