据悉，英飞凌科技正在向中国上海麦田能源供应其功率半导体器件，用于制造变频器和储能系统。具体来说，英飞凌将向麦田能源提供1200V的CoolSic MOSFET，并搭配EiceDRIVER门驱动器，这些产品将应用于工业能量储存系统。此外，麦田能源的串式光伏（PV）逆变器也将采用英飞凌的IGBT7 H7 1200V功率半导体器件。
英飞凌公司指出，全球光伏能量存储系统（PV-ES）市场近年来增长迅猛。随着光伏能量存储系统市场竞争的加剧，提升功率密度变得尤为关键，如何提高储能应用的效率和功率密度已成为业界关注的焦点。英飞凌强调，其CoolSic MOSFET 1200V和IGBT 7 1200V系列功率半导体器件，采用了最新的半导体技术和设计理念，专为满足工业应用需求而量身定制。
图一：英飞凌向麦田能源提供功率半导体
得益于英飞凌先进组件的强力支持，麦田能源的产品在可靠与效率上实现了显著提升，这已成为推动麦田能源发展的重要动力。麦田能源董事长朱静成评价道，“英飞凌的技术支撑和产品品质不仅增强了我们的市场竞争力，也帮助我们在市场上的业务得到了扩展。”
英飞凌宣称，其CoolSic MOSFETs 1200V产品凭借高功率密度，能够减少50%的能量损耗，并在不增加电池体积的情况下额外提供约2%的能量，这对于追求高性能、轻便和紧凑设计的能量存储解决方案来说，具有特别重要的意义。麦田能源旗下的H3PRO系列的能效高达98.1%，并在电磁兼容性（EMC）方面表现出色，这些优势使得H3PRO系列在全球市场上迅速赢得了销售的增长。
英飞凌公司方面称，其TRENCHSTOP IGBT7 H7 650V/1200V系列半导体器件的损耗更低，有助于提高变频器的整体效率与功率密度。在高功率变器器项目中，电流承载能力超过100A的高电流模具封装的分立器件可以减少并联使用的IGBT数量，并取代IGBT模块解决方案，进一步提升系统的可靠性并减少成本。此外，H7系列以其卓越的性能和更强的抗湿能力，已成为行业内的标杆。
目前，麦田能源的主打工商业型号——R系列75-110kW，使得整个系统效率能够达到98.6%。IGBT7 H7系列分立器件的低功耗和高功率密度特性，使得并联过程中的电流分配等技术问题得以简化和优化。
