英飞凌科技公司近日宣布，推出其首款采用自主CoolGaN®技术制造的辐射加固氮化镓（GaN）晶体管，标志着其高可靠性电源解决方案进入全新阶段。该产品不仅适用于严苛的太空环境，还成为业内首款获得美国国防物流局（DLA）依据联合军种空间规范 MIL-PRF-19500/794 颁发的最高等级 JANS 质量与可靠性认证的内部制造GaN器件。
此次推出的辐射加固型高电子迁移率晶体管（HEMT）专为轨道航天器、载人航天任务以及深空探测等关键航天应用打造。通过将GaN HEMT的卓越性能与英飞凌50余年来在高可靠性领域的丰富经验相结合，这一系列新器件在能效、热管理和功率密度方面均表现出色，助力打造更小型、更轻便、更可靠的太空电源系统。新产品也进一步完善了英飞凌现有的辐射加固硅基MOSFET产品线，为航天客户提供更完整的功率解决方案组合。
图：英飞凌推出自主制造辐射加固GaN晶体管，强化太空电源方案布局
英飞凌高可靠性事业部高级副总裁兼总经理 Chris Opoczynski 表示：“我们正以全新的GaN晶体管系列产品不断突破电源设计的极限。这一重要里程碑，为关键国防和航天任务带来了新一代高可靠性电源解决方案，充分发挥了宽禁带半导体材料的独特优势，满足快速增长的航空航天市场需求。”
此次发布的三款新品均为100V、52A规格，具备行业领先的4毫欧典型导通电阻（R_DS(on)）和8.8nC典型总栅电荷（Qg），封装采用坚固的陶瓷密封贴片形式，具备抗单粒子效应能力（SEE硬化等级达到 LET=70 MeV·cm²/mg，以金离子测试）。其中两款器件分别通过100 krad与500 krad的总电离剂量（TID）筛选，但未获得JANS认证；第三款产品则在通过500 krad TID筛选基础上，满足MIL-PRF-19500/794 JANS规范的严格要求。
英飞凌也因此成为全球首家通过DLA JANS认证、并实现全流程内部制造的GaN功率器件厂商。该认证对筛选流程与质量服务等级有极高要求，以确保器件在航天飞行任务中的稳定性与可靠性。英飞凌目前也正持续推进多个批次的产品验证，为后续全面量产打下坚实基础，进一步巩固其在高可靠性GaN应用市场的领先地位。
