GlobalFoundries（GF）近日宣布，获得了美国政府额外950万美元的联邦资金支持，这笔资金旨在推进位于佛蒙特州埃塞克斯交界处工厂的硅基氮化镓（GaN）半导体生产。这笔资金将帮助GF更接近大规模生产GaN芯片的目标。GaN技术能够在高电压和高温环境下稳定工作，广泛应用于包括汽车、数据中心、物联网、航空航天和国防等领域的射频（RF）和高功率控制系统，能够显著提升这些行业的性能和能效。
此次获得的资金将进一步支持GF在GaN技术领域的投资，特别是在其领先的GaN知识产权（IP）产品组合和可靠性测试方面。GF计划继续增强其工具、设备和原型设计能力，推动在佛蒙特州实现200毫米GaN芯片的全面生产。GF负责人表示，公司致力于为客户提供一条快速且高效的路径，使他们能够利用GaN芯片技术的独特优势，开发创新设计并提升电源管理效率。
GF物联网及航空航天与国防业务副总裁Nicholas Sergeant表示：“我们为GF在GaN芯片技术领域的领导地位感到自豪，GaN技术预计将在多个行业带来颠覆性的进展，提升新一代设备的射频性能，同时实现更快的充电速度和更长的电池寿命。”
这笔资助由美国国防部的可信访问计划办公室（TAPO）提供，是美国政府继续支持GlobalFoundries在佛蒙特州GaN项目的最新举措。
图：GlobalFoundries GaN芯片制造获美国950万美元资助（图源：VTDigger）
美国国防部微电子活动部主任尼古拉斯·马丁博士表示：“这项对关键技术的战略投资不仅强化了我们的国内技术生态系统，还增强了国家安全保障，确保这些技术在需要时可以安全、高效地供国防部使用。通过与关键合作伙伴的合作，我们能够提升国防系统的韧性和应变能力。”
自2020年以来，GF已经从美国政府获得超过8000万美元的资助，用于支持GaN技术的研究和发展，助力GaN芯片制造的全面实现。随着GaN技术的持续推进，佛蒙特州不仅是美国认可的“可信工厂”，还成为GF GaN项目的全球研发中心，长期处于200毫米半导体制造领域的领先地位。
此外，2024年7月，GF收购了Tagore Technology的GaN电源产品组合，并在印度加尔各答建立了GF加尔各答电源中心。该中心与佛蒙特州的工厂紧密协作，进一步推动GF在GaN芯片制造领域的研发工作，巩固其在全球GaN技术领域的领导地位。
通过此次资金的支持，GlobalFoundries不仅能够加速GaN技术的商业化进程，还能增强与政府和商业伙伴的合作关系，共同推动这一具有战略意义的技术进步，为未来的智能设备和高功率应用提供更强大的技术支持。
