日本电容器（MLCC）大厂村田制作所（Murata）在6月26日宣布，计划到2028年对本土的金泽村田制作所、仙台村田制作所和芬兰子公司合计投资约100亿日元，以将硅电容器产能提高两倍。这一投资计划旨在提高硅电容器的生产能力，以满足未来全球市场对高性能电容器需求的增长。
据悉，硅电容器采用半导体制造工艺制作，其介电层为稳定性更好的硅材料。与当前的主流电容器相比，硅电容器具有更好的电容密度、可靠性、高频特性等优势，老化时间可长达10年，额定温度甚至可高达250℃。在恶劣环境下，硅电容器有着更好的表现。
然而，目前硅电容器的价格是普通MLCC的几十倍，因此其应用范围集中于高附加值以及对成本不敏感的尖端医疗设备等领域。但考虑到硅电容器在轻薄方面的优势，对于内部空间越来越捉襟见肘的智能手机而言，硅电容器也是相当不错的选择。据了解，村田制作所的硅电容器厚度可低至0.05毫米。
目前，硅电容器的应用仅限于医疗设备，但未来有望扩展到智能手机和服务器等领域。村田制作所希望通过这次投资和增产能够及时捕获更多的市场需求，并提高公司在高端电容器市场的竞争力。
此外，村田制作所还计划在全球建立相同的生产系统，以实现硅电容器供应的全球化。今年3月，村田制作所曾宣布将于2024年之前向法国子公司投资约5000万欧元，以增加硅电容器的产能。这次投资计划将在两家日本工厂和芬兰子公司建立相同的生产系统，以实现全球化的硅电容器供应。
村田制作所通过大规模投资和增产计划，将提高硅电容器产能并扩大其在高端电容器市场的影响力。随着未来市场对高性能电容器需求的不断增长，村田制作所的投资计划将有助于其抓住更多商机，并推动公司的发展。
