Finwave Semiconductor, Inc. 是 GaN（氮化镓）技术领域的先锋创新者，最近宣布与全球领先的专业代工厂 GlobalFoundries (GF) 达成战略技术开发和许可协议。GlobalFoundries 以其在 RF 领域的丰富经验而闻名，特别是在 RF 绝缘体上硅和硅锗解决方案方面的卓越表现。此次合作旨在加速 Finwave 的 E-Mode MISHEMT RF GaN-on-Si 技术的开发与批量生产，结合 GF 在美国的大规模生产能力，推动这一尖端技术的广泛应用。
此次合作的核心是优化和扩展 Finwave 的增强模式 (E-mode) MISHEMT 技术，以便在 GF 位于佛蒙特州伯灵顿的 200 毫米半导体制造工厂实现大规模生产。Finwave 的 200mm GaN-on-Si E-mode MISHEMT 平台以卓越的射频性能著称，在低于 5V 的电压下表现出色，提供出色的增益和效率，并确保 200mm 晶圆的一致性和高均匀性。这一平台在 CS Mantech 2024 行业会议上得到了充分展示。通过整合 Finwave 的技术，GF 的 90RFGaN 平台将能够实现高功率密度和高效率，助力开发高性能、优化的设备，同时节省空间和成本。
这次合作为解决传统 GaAs 和 Si 技术局限的应用场景提供了新的突破性解决方案，特别是在高频 5G FR2/FR3 频段、6G 和毫米波（mmWave）放大器以及高功率 Wi-Fi 7 系统中，这些应用场景对卓越的射频性能和效率有着极高的要求。
图：RF GaN-on-Si 技术
Finwave Semiconductor 首席执行官 Pierre-Yves Lesaicherre 博士表示：“这项协议对 Finwave 而言是一个重要的里程碑。通过借助 GlobalFoundries 强大的制造能力，将 Finwave 的 E-mode MISHEMT 技术推向批量生产，我们将在应对日益苛刻的无线通信市场需求中释放巨大的增长潜力。这次合作为在单个 GaN-on-Si 设备上集成 RF 前端打开了大门，这是前所未有的创新，有望大幅降低成本和设备尺寸，对手机等便携设备至关重要。”
GlobalFoundries 射频业务副总裁兼总经理 Shankaran Janardhanan 表示：“随着下一代无线网络需要在更高频率下运行，Finwave 的低压 GaN-on-Si 技术与 GF 的 90RFGaN 平台相结合，将成为未来手机功率放大器的关键组件，确保设备拥有出色的性能和高功率效率。”
Finwave 的 E-mode MISHEMT 技术是在长达十余年的研究和创新中逐步发展起来的，并得到了美国能源部高级研究计划署能源项目 (ARPA-E) 的联邦资金支持以及深度技术投资者和战略合作伙伴的私人投资。通过借助 GF 的大规模 CMOS 制造能力，Finwave 和 GlobalFoundries 计划在 2026 年上半年实现该技术的量产，为无线通信市场带来更多创新和商机。
