近日，韩国内存市场出现新动态。2025 年 1 月，韩国内存制造商 SK 海力士和三星的多芯片封装（MCP）出口均出现下滑，其中 SK 海力士的 MCP 出口环比下降近 30%，三星 MCP 出口环比下滑幅度更是高达 62.3%，这一现象引发了行业的广泛关注。
数据显示，据韩国替代数据平台 Aicel 数据，1 月 SK 海力士位于韩国利川和清州主要生产基地的 MCP 暂定出口值约为 12.9 亿美元。尽管同比增长 105.7%，但与 2024 年 12 月相比下降了 29.8%，若考虑 1 月工作日数量，降幅为 19.3%，为 2023 年 4 月以来最大降幅。其中，韩国对台湾地区的 MCP 出口在 1 月表现不佳，出口额为 9.94 亿美元，环比下降 51.1%，降至 2024 年 5 月以来最低水平。三星方面，其位于平泽、龙仁、水原、天安和牙山主要生产基地的 MCP1 月暂定出口值环比大幅下滑 62.3% 。
高带宽内存（HBM）作为 MCP 中的关键产品，其市场表现备受瞩目。有观点认为，经过两年的快速增长，HBM 对季节性需求变化愈发敏感。HBM 市场发展受多种因素影响，涵盖技术、市场、政策、供应链等多个方面。技术创新与瓶颈影响其性能提升和成本控制，市场需求的波动和竞争格局的变化对其市场规模和企业份额产生作用，政策法规在国际贸易和产业扶持上发挥着重要影响，供应链的稳定与风险也关乎 HBM 市场的正常运作。iM 证券报告预测，2025 年第一季度 SK 海力士 HBM 出口量相比 2024 年第四季度将下降超 10%，同期 DRAM 出货量预计下降 12%，NAND 闪存下降 18%。三星电子在 2024 年第四季度财报会议上也表示，受人工智能半导体出口限制等地缘政治问题以及改进产品推出导致需求延迟等因素影响，预计 HBM 销售额会下降。行业观察人士预估，三星 2024 年第四季度 HBM 供应量刚超 20 亿 GB，2025 年第一季度可能仅供应约 10 亿 GB。
图：2025 年 1 月 SK 海力士与三星多芯片封装出口下滑（图源：SK Hynix）
此外，新的制造工艺和架构设计能提升 HBM 性能，扩大应用范围。比如，更先进的封装技术可提高数据传输速率，满足 AI 和高性能计算不断增长的需求。然而，技术研发存在瓶颈，像良品率提升困难、与其他芯片集成的技术难题等，会限制 HBM 产能扩大和性能优化，增加生产成本，阻碍市场发展。
此次 SK 海力士和三星 MCP 出口下滑，以及 HBM 市场的变化，背后存在多方面原因。从季节性因素来看，电子产品消费和生产往往具有季节性特征。年初通常是消费电子市场的相对淡季，对内存芯片等零部件的需求减少，进而影响 MCP 出口。
地缘政治因素同样不可忽视。当前，国际贸易环境复杂多变，人工智能半导体出口限制等地缘政治问题导致 HBM 市场需求受到抑制。部分国家和地区之间的贸易摩擦，使得相关产品的进出口面临更多阻碍，企业的市场拓展和销售受到影响。
技术产品迭代周期也在发挥作用。随着科技的快速发展，半导体产品更新换代频繁。新产品推出前，市场往往会出现观望情绪，客户会等待性能更优的产品，导致现有产品需求延迟，这在一定程度上影响了 HBM 的销售和 MCP 的出口。
尽管 2025 年 1 月 SK 海力士和三星的 MCP 出口数据不理想，但行业分析认为，从全年来看，HBM 市场仍有较大发展潜力。Shinyoung 证券分析指出，2025 年全球 HBM 需求相比 2024 年有望翻倍。不过，就第一季度而言，HBM 收入可能会下降。未来，SK 海力士、三星等企业需密切关注市场动态，积极应对各种挑战，把握行业发展机遇，以在竞争激烈的内存市场中保持优势地位。
