在追求高性能电子产品的征途上，DARPA的微系统技术办公室通过UWBGS项目展示了其开发超宽带隙（UWBG）材料的雄心。这些关键材料对于制造高功率射频开关、雷达、通信放大器、高压电源开关、耐高温电子产品以及深紫外LED和激光器等先进电子设备至关重要，支撑着一个价值数十亿美元的全球市场。
金刚石，以其卓越的化学稳定性、辐射耐受性、高载流子迁移率、卓越的热导率和宽阔的电子带隙，成为了实现高性能半导体器件的理想材料。这些特性使得金刚石在降低电子产品的整体尺寸、重量和功耗方面具有巨大潜力。
Element Six公司作为UWBGS计划的重要贡献者，将利用其在大面积化学气相沉积（CVD）聚晶金刚石和高质量单晶（SC）金刚石合成方面的专业技能，致力于实现4英寸级别的SC金刚石基板。Element Six的首席技术专家Daniel Twitchen教授表示：“我们很荣幸能与DARPA UWBGS项目的其他合作伙伴携手合作。自20世纪50年代实现规模合成以来，工业金刚石已经彻底改变了多个行业，我们相信UWBGS的技术突破将为半导体行业的未来70年带来积极的变革。”
图：Element Six获美国订单
Element Six的SC金刚石已经在多个领域发挥了关键作用，包括在CERN的大型强子对撞机监测系统中，助力科学家发现了希格斯玻色子粒子。此外，该公司与ABB合作，推出了首款高压块状金刚石肖特基二极管。Element Six还在俄勒冈州波特兰市完成了先进CVD设施的建设，该设施采用可再生能源，进一步推动了公司的核心技术发展。
Element Six的4英寸以上尺寸的多晶金刚石晶片已经在电信基础设施和国防应用中得到应用，它们不仅作为最先进硅芯片的EUV光刻光学窗口，还用于高功率密度硅和氮化镓半导体器件的热管理。
在UWBGS项目中，Element Six已经与全球范围内的行业领导者建立了合作伙伴关系，包括日本的Orbray（拥有金刚石异质外延技术）、雷神公司（GaN RF设备领域的领导者）、法国的Hiqute Diamond（拥有位错工程技术）以及美国的斯坦福大学和普林斯顿大学（拥有材料块体和表面处理表征技术）。通过这些全球技术领袖的合作，UWBGS项目有望突破钻石技术的极限，为下一代超宽带隙半导体的发展铺平道路。
