半导体材料在现代科技中扮演着重要的角色。常见的半导体主要有硅、锗、砷化镓和硫化镉。
硅是最常用的半导体材料，主要因为它具有丰富的资源、成本低廉且适于大规模生产。硅半导体在微电子技术中起到了关键作用，例如在计算机芯片和存储器中。
锗是另一种元素半导体，与硅相似但有些不同的特性。尽管锗的电导率比硅更高，但它的应用并不像硅那么广泛，主要是因为锗的价格相对较高。
砷化镓是一种复合半导体，由镓和砷组成。它在高频和光电子器件中特别有价值。例如，砷化镓用于制造射频集成电路、微波放大器以及高效能太阳能电池。
硫化镉也是一种复合半导体，由镉和硫组成。它主要用于光电应用，如太阳能电池和光电探测器。
这些半导体材料都是现代电子和光电子设备的核心。不同的半导体因其特定的性质而在特定的应用中更受欢迎。
半导体的定义及性质
电导性介绍
半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，其电导性随温度的变化而改变。当温度上升时，半导体的电导性增强，这与普通金属导体的行为相反。半导体的电导性来源于其内部的电子和空穴。电子是负电荷，而空穴可以被视为正电荷。电导性的增长是由于随着温度的上升，更多的价带电子获得足够的能量跃迁到导带，从而增加了导电电子的数量。
能带理论
在固态物理中，能带理论是解释半导体、导体和绝缘体电导性的基础。它认为，电子在固体中不是自由移动的，而是被限制在特定的能级或能带中。这些能带之间的空隙称为带隙。对于半导体，其带隙较小，电子可以在一定的外部能量（如热能）作用下，从价带跃迁到导带，导致其具有导电性。
内在半导体与掺杂半导体
内在半导体是纯净的半导体，不含有任何掺杂杂质。在常温下，其导电性主要依赖于热激发产生的电子-空穴对。而掺杂半导体是在半导体基础上添加微量的杂质元素，以改变其电导性。根据杂质的类型，掺杂可以分为n型和p型。n型半导体是添加五价元素，如磷、砷等，使其多出一个电子，增加电子浓度。而p型半导体是添加三价元素，如硼、铝等，产生空穴，增加空穴浓度。
元素半导体
硅 (Si)
物理性质
硅是最常用的半导体材料。它是一种四价元素，晶格结构为面心立方。硅的熔点为1414°C，密度为2.33 g/cm³。其带隙为1.12 eV，在常温下呈现出一定的电导性，这使得它在半导体工业中具有广泛的应用。
硅晶体的导电性能够通过外部因素如温度、光照等得到调控。在常温下，其电阻率约为10^3 Ω·cm，但是随着温度的增加，电阻率会逐渐减小。此外，硅的热膨胀系数约为2.6 x 10^-6/°C，这对于确保芯片在高温环境下的稳定性非常重要。
主要应用
硅是制作集成电路和太阳能电池的首选材料。由于其优越的电性能、优良的热稳定性以及相对较低的成本，硅在微电子工业中占据了主导地位。最常见的应用是在CPU、存储器、传感器等设备中。在太阳能领域，多晶硅和单晶硅太阳能电池由于其较高的转换效率和成本效益，在市场上具有较大的份额。
锗 (Ge)
物理性质
锗是一种与硅相似的四价元素半导体。它的晶格结构为菱形，带隙为0.66 eV，略小于硅，这使得锗在低温下具有更好的电导性。锗的熔点为938.3°C，密度为5.32 g/cm³。其电阻率在常温下为0.46 Ω·cm，远低于硅，但其在高温下的电导性不如硅。
主要应用
虽然锗的价格比硅高，但由于其在低温下的优越电导性，它在某些特定应用中是不可或缺的，如低温探测器和红外探测器。此外，锗也被用作硅的替代材料制造高频率的电子设备和光电子器件。在过去的一段时间里，随着锗基硅-锗异质结构技术的发展，它在高效能计算和数据存储领域的应用也得到了推动。
复合半导体
砷化镓 (GaAs)
物理性质
砷化镓是一种复合半导体，其组成元素为砷和镓。这种半导体的带隙为1.43 eV，比硅和锗都要大，这使其对于高频和光电应用特别有吸引力。砷化镓的密度为5.32 g/cm³，熔点为1238°C。另外，与硅相比，GaAs具有更高的电子迁移率，这使其在高频应用中表现出色。
主要应用
砷化镓广泛应用于高频率和光电子器件。它是生产射频集成电路、微波频率的放大器和开关的理想材料。此外，由于其较大的带隙，它还常用于制作红色和绿色LEDs。在光伏领域，GaAs太阳能电池因其高的能量转换效率和长寿命而受到欣赏。然而，与硅比较，GaAs的价格相对较高，这限制了其在某些商业应用中的使用。
硫化镉 (CdS)
物理性质
硫化镉是一种II-VI族复合半导体，由镉和硫组成。它有一个直带隙，大约为2.42 eV，这使其在光电领域非常有用。硫化镉的密度为4.82 g/cm³，熔点为1750°C。它具有很好的化学稳定性和优异的光学性质，尤其是对于可见光和紫外光。
主要应用
硫化镉主要用于光电子领域，如太阳能电池、光电探测器和光电二极管。它也被用作薄膜晶体管的一部分，这些晶体管在某些显示技术中发挥作用。由于其对紫外线的高度敏感性，它也被用于制作紫外光探测器。尽管硫化镉具有很多有趣的应用，但它包含有毒的镉元素，这在环境和健康方面引发了关注，因此在使用和处置时需要格外小心。
有机半导体
导电高分子
物理性质
导电高分子是一类具有导电性的有机高分子材料。与传统的无机半导体如硅和砷化镓相比，导电高分子通常具有较低的电导率，但其优点在于可处理性、机械柔韧性和可定制的电子属性。常见的导电高分子有聚吡咯、聚苯并噻吩和聚苯乙烯等。
主要应用
导电高分子在柔性电子、传感器、有机光电二极管(OLED)和有机太阳能电池中都有广泛的应用。由于其可处理性和柔韧性，它们常用于制造弯曲或柔性的电子设备，如柔性显示屏或可穿戴传感器。此外，导电高分子在生物医学领域也展现了巨大的潜力，被用于如电刺激治疗和生物传感器等应用。
有机小分子
物理性质
有机小分子是低分子量的有机化合物，它们具有可调整的电子属性和良好的光学性质。与导电高分子相比，有机小分子通常有更好的电荷传输性能和热稳定性。一些常见的有机小分子半导体材料包括富勒烯、酞菁和二苯并噻吩等。
主要应用
有机小分子广泛应用于有机场效应晶体管、有机光电二极管和有机太阳能电池。由于其良好的电荷传输性能和可调整的光学性质，它们被认为是制造高性能、低成本的有机电子设备的理想材料。此外，有机小分子也常用于化学传感器和生物传感器，尤其是在需要高灵敏度和快速响应的应用中。
有机场效应晶体管
物理性质
有机场效应晶体管（OFETs）是一种利用有机半导体材料作为主要通道的场效应晶体管。与传统的硅基场效应晶体管相比，OFETs通常具有较低的载流子迁移率，但其制造过程简单且成本低廉。
主要应用
OFETs在柔性电子、低成本传感器和有机显示技术中有广泛的应用。由于其简单的制造过程和低成本，OFETs被认为是下一代可印刷和柔性电子产品的关键组件。此外，OFETs也被用于生物医学传感器，尤其是在需要高度集成和实时检测的应用中。
