Cambridge GaN Devices（CGD）最近推出了两款新型的ICeGaN™产品系列GaN功率IC封装，这些封装具有低热阻和便于光学检查的特性，为数据中心、逆变器及其他工业应用提供了更高的功率密度和效率优势。这些新型封装包括DHDFN-9-1（双散热器DFN）和BHDFN-9-1（底部散热器DFN），它们都采用了经过充分验证的DFN封装，确保了封装的坚固可靠性。
DHDFN-9-1和BHDFN-9-1这两种型号，它们都采用了经过充分验证的DFN封装技术，确保了封装的坚固性和可靠性。DHDFN-9-1封装以其双面冷却设计，提供了底部、顶部和双侧冷却的灵活性，特别在顶部和双侧冷却配置中，性能超越了市场上常用的TOLT封装。而BHDFN-9-1封装则以其0.28 K/W的热阻，提供了与领先设备相媲美或更优的性能。
新型封装的设计不仅考虑了性能，还兼顾了应用的灵活性和便利性。DHDFN-9-1的双极引脚设计优化了PCB布局，简化了并联过程，使得客户能够轻松应对高达6千瓦的应用需求。BHDFN-9-1封装则因其相似的封装布局，可以与常用的TOLL封装GaN功率IC通用，便于现有设计的应用和评估。
图：CGD推出革命性新型GaN功率IC封装
CGD推出的这两款新型GaN功率IC封装不仅代表了公司在功率半导体领域的创新实力和技术水平，也体现了整个行业对于高效能热管理技术的追求和期待。随着电子技术的不断发展，对于功率半导体器件的热管理要求将越来越高。这两款封装的推出将引领整个行业向着更高效、更可靠、更环保的方向发展。
CGD产品市场经理Nare Gabrielyan强调，新型封装是CGD战略的一部分，旨在使客户能够利用ICeGaN™产品系列的GaN功率IC，在多种应用中获得更高的功率密度和效率优势。这些应用不仅对设备的要求更高，同时要求设备坚固可靠、易于设计，新型封装支持并扩展了ICeGaN™产品系列的这些固有特性。
提高热阻性能带来了多重好处。首先，在相同的RDS(on)条件下，可以实现更多的功率输出。其次，设备在相同功率下能以较低温度运行，减少了散热需求，从而降低了系统成本。此外，更低的工作温度也意味着更高的可靠性和更长的产品寿命。如果应用需要更低的成本，设计者还可以选择具有较高RDS(on)的低成本产品来实现所需的功率输出。
同时，这两款封装也将为CGD公司带来更多的市场机会和竞争优势。随着电动汽车、数据中心等市场的不断扩大和升级换代，对于高性能功率半导体器件的需求也将不断增加。CGD将凭借这两款封装的技术优势和市场竞争力，在行业中占据更加重要的地位。
