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中国电科SiC外延炉持续出货,助力国产半导体行业发展

2024年1月18日
  • 编辑:Ana Hu
  • 中国出海半导体网

 

近日,中国电子科技集团有限公司48所(以下简称“中国电科48所”)自主研发的SiC外延炉成功出货近百台,以其稳定的性能持续收获多个市场订单和客户好评。

SiC外延炉作为第三代半导体SiC器件制造核心装备之一,在整个产业链中起着承上启下的重要作用。它是制作高温、高频、大功率电子器件的理想材料,在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域具有广泛的应用需求。

SiC外延炉是生产碳化硅外延片的核心设备,碳化硅外延片是制造碳化硅功率器件的重要原材料,被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域。长期以来,该设备的核心技术一直被国外少数几家企业垄断。

中国电科48所研发团队经过多年的技术攻关,成功突破了多项关键技术,研制出了具有自主知识产权的SiC外延炉。以下是中国电科48所研发SiC外延炉的关键时间节点:

- 2023年6月29日,中国电科48所宣布,他们自主研制的8吋SiC外延设备首次亮相,并且已经完成首轮工艺验证。

- 2023年10月,中国电科48所的碳化硅外延设备集中发货20台套,打响了双节后“百日攻坚战”第一枪。

- 2024年1月,中国电科48所自主研发的40台SiC外延炉在客户现场成功进驻,他们的售后服务团队将科学谋划、统筹安排,做好设备后续安装、调试等工作,确保设备早日交付验收。

该设备采用了先进的设计理念和制造工艺,具有外延层厚度均匀性好、生长速率快、成本低等优点,其主要技术指标达到了国际先进水平。

图1:中国电科48所8吋SiC外延炉模型

图1:中国电科48所8吋SiC外延炉模型

 

相比于市面上的其他竞品,中国电科SiC外延炉具有以下优势:

- 技术领先:中国电科自主研发的技术,具有更高的效率和稳定性。

- 性能可靠:设备性能稳定,能够满足客户的高质量需求。

- 应用广泛:适用于多种领域,如新能源汽车、光伏产业等。

随着SiC外延炉技术的不断发展和应用领域的不断扩大,中国电科SiC外延炉技术的市场前景将会更加广阔。

中国出海半导体网介绍几款,目前市面上中国电科SiC外延炉的竞争产品,这些产品都各自具备特点和优势:

- 意大利LPE公司的Pe106:一般为气浮驱动旋转的单片大尺寸生长系统,易实现较好的片内指标,生长速率高、外延周期短、片内及炉次间一致性好等。

- 德国Aixtron公司的AIXG5WWC(8×150mm)和G10-SiC(9×150mm或6×200mm)系列外延设备:以行星排布基座的方式,特点是单炉多片生长,产出效率较高。

- 晶盛机电的6英寸双片式SiC外延设备:通过对反应室石墨件的改造,采用上下层叠加的方式,单炉可以生长两片外延片,且上下层工艺气体可以单独调控,温差≤5℃,有效弥补了单片水平式外延炉产能不足的劣势。

中国电科表示,将进一步加大研发投入,不断提升SiC外延炉的性能和质量,为我国半导体产业的发展做出更大的贡献。同时,中国电科也将积极推动SiC外延炉的产业化应用,与国内半导体企业开展深入合作,共同推动我国半导体产业的发展。