近日，中国电子科技集团有限公司48所（以下简称“中国电科48所”）自主研发的SiC外延炉成功出货近百台，以其稳定的性能持续收获多个市场订单和客户好评。
SiC外延炉作为第三代半导体SiC器件制造核心装备之一，在整个产业链中起着承上启下的重要作用。它是制作高温、高频、大功率电子器件的理想材料，在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域具有广泛的应用需求。
SiC外延炉是生产碳化硅外延片的核心设备，碳化硅外延片是制造碳化硅功率器件的重要原材料，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域。长期以来，该设备的核心技术一直被国外少数几家企业垄断。
中国电科48所研发团队经过多年的技术攻关，成功突破了多项关键技术，研制出了具有自主知识产权的SiC外延炉。以下是中国电科48所研发SiC外延炉的关键时间节点：
- 2023年6月29日，中国电科48所宣布，他们自主研制的8吋SiC外延设备首次亮相，并且已经完成首轮工艺验证。
- 2023年10月，中国电科48所的碳化硅外延设备集中发货20台套，打响了双节后“百日攻坚战”第一枪。
- 2024年1月，中国电科48所自主研发的40台SiC外延炉在客户现场成功进驻，他们的售后服务团队将科学谋划、统筹安排，做好设备后续安装、调试等工作，确保设备早日交付验收。
该设备采用了先进的设计理念和制造工艺，具有外延层厚度均匀性好、生长速率快、成本低等优点，其主要技术指标达到了国际先进水平。
图1：中国电科48所8吋SiC外延炉模型
相比于市面上的其他竞品，中国电科SiC外延炉具有以下优势：
- 技术领先：中国电科自主研发的技术，具有更高的效率和稳定性。
- 性能可靠：设备性能稳定，能够满足客户的高质量需求。
- 应用广泛：适用于多种领域，如新能源汽车、光伏产业等。
随着SiC外延炉技术的不断发展和应用领域的不断扩大，中国电科SiC外延炉技术的市场前景将会更加广阔。
中国出海半导体网介绍几款，目前市面上中国电科SiC外延炉的竞争产品，这些产品都各自具备特点和优势：
- 意大利LPE公司的Pe106：一般为气浮驱动旋转的单片大尺寸生长系统，易实现较好的片内指标，生长速率高、外延周期短、片内及炉次间一致性好等。
- 德国Aixtron公司的AIXG5WWC（8×150mm）和G10-SiC（9×150mm或6×200mm）系列外延设备：以行星排布基座的方式，特点是单炉多片生长，产出效率较高。
- 晶盛机电的6英寸双片式SiC外延设备：通过对反应室石墨件的改造，采用上下层叠加的方式，单炉可以生长两片外延片，且上下层工艺气体可以单独调控，温差≤5℃，有效弥补了单片水平式外延炉产能不足的劣势。
中国电科表示，将进一步加大研发投入，不断提升SiC外延炉的性能和质量，为我国半导体产业的发展做出更大的贡献。同时，中国电科也将积极推动SiC外延炉的产业化应用，与国内半导体企业开展深入合作，共同推动我国半导体产业的发展。
