剑桥氮化镓器件公司（Cambridge GaN Devices，简称 CGD），作为氮化镓功率器件领域的创新者，近日成功完成了 3200 万美元的 C 轮融资。此次投资由一位战略投资者领投，英国 Patient Capital 参与其中，现有投资者 Parkwalk、BGF、剑桥创新资本（CIC）、Foresight Group 和 IQ Capital 也纷纷给予支持。
氮化镓技术革新电力电子领域
氮化镓基器件是电力电子领域的一项重大突破。与传统的硅基解决方案相比，它具备更快的开关速度、更低的能耗以及更紧凑的设计。CGD 独有的单片式 ICeGaN® 技术，能够简化氮化镓在现有和先进设计中的应用流程。借助该技术，产品的效率可超99%，在电动汽车、数据中心电源等众多高功率应用场景中，节能效果高达 50%。由于 ICeGaN 技术操作简便，便于客户使用，这些创新成果每年有望减少数百万吨二氧化碳排放，加快全球向可持续能源系统的转型进程。
CGD 的首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士表示：“这轮融资对 CGD 来说意义非凡，它是对我们技术以及用高效氮化镓解决方案革新电力电子行业、实现可持续电力电子愿景的认可。如今，我们蓄势待发，将加快发展步伐，在多个行业降低能耗方面发挥重要作用。我们也期待与战略投资者携手，开拓汽车市场。”
广阔市场机遇
据预测，全球氮化镓功率器件市场将以 41% 的复合年增长率高速增长，到 2029 年市场规模有望达到 20 亿美元。与此同时，ICeGaN 被视为碳化硅（SiC）现有解决方案的有力替代者，它兼具高能效、小型化以及单片集成智能功能等优势。这使得剑桥氮化镓器件公司有望进军到 2029 年规模超 100 亿美元的高功率市场。凭借先进的技术和市场领先地位，CGD 在这一快速扩张的市场中占据有利位置。CGD 已成功赢得行业领先客户，持续证明了其提供可靠且具影响力解决方案的能力，推动着行业的创新发展。
CGD 销售高级副总裁 Henryk Dabrowski 提到：“看到这笔资金助力我们完成已签订的 CGD 最新一代 P2 产品的客户订单，我感到十分兴奋。这笔投资将大幅提升我们满足市场对可靠易用氮化镓解决方案不断增长需求的能力。”
图：剑桥氮化镓器件公司获 3200 万美元融资，推动功率半导体增长
全球扩张与未来展望
CGD 拥有一支来自全球的专家团队，经过数十年的研究积累，始终致力于突破氮化镓技术的边界，不断推出改善日常电子产品性能的解决方案。随着全球朝着电气化和可持续发展方向迈进，CGD 在氮化镓技术领域的领先地位，为降低能耗、削减成本以及减轻环境影响开辟了新路径。通过提供高效、紧凑且高性能的功率器件，CGD 正在为可持续电力电子行业树立全新标准。
这笔资金将助力公司扩大在剑桥、北美、中国台湾地区和欧洲的业务运营，为日益增长的客户群体提供 CGD 独特的产品与服务。
此次重大投资将推动 CGD 的增长战略实施，重点是持续为高功率工业、数据中心和汽车市场提供高效的氮化镓产品。
Parkwalk Advisors 的首席投资官 John Pearson 评价道：“CGD 处于能够降低人工智能、电动出行等蓬勃发展行业能源需求的技术前沿。它具有巨大的全球发展潜力和广泛的应用前景，这将促使 CGD 不断创新、持续成长。自 2019 年起我们就对 CGD 予以支持，能与如此出色的团队及其他投资者共同加速其全球扩张进程，我们深感自豪。”
英国 Patient Capital 的深度科技、直接与联合投资总监 George Mills 表示：“经过多年研究，剑桥氮化镓器件公司已证明其半导体技术的影响力。他们的氮化镓器件相比硅基器件能耗更低，既能降低成本，又对环境有益。这是一项极具价值的技术，现在需要长期资金支持来实现规模化发展。”
