英特尔在 2030 年前成为全球第二大芯片代工厂的目标面临重大挑战。据路透社报道，博通在试用英特尔的 18A 制程技术后，结果未能达到预期，给英特尔的复兴计划带来了新的压力，尤其是在追赶台积电的工艺进展上。
博通此前用其设计的典型测试模式，制造了一批基于 18A 工艺的晶圆。然而，消息人士透露，博通收到这些晶圆后，工程师和高管们对这一工艺表示不满，认为“尚不具备大规模量产的条件”。尽管如此，英特尔最近公开了其 18A 工艺的缺陷密度，显示该工艺在距离量产还有两到三个季度的情况下，依然处于健康水平。
英特尔 CEO 帕特·基辛格在德意志银行 2024 年技术大会上指出：“目前，我们的缺陷密度已低于 0.4 d0，对于这个节点来说，这是一个健康的水平。” 通常来说，缺陷密度低于每平方厘米 0.5 个缺陷被视为良好结果。英特尔 18A 的缺陷密度为每平方厘米 0.4 个，尽管台积电的 N7 和 N5 技术在类似阶段的缺陷密度曾达到 0.33，且 N5 在量产时进一步降低至 0.1，但考虑到时间节点，英特尔的进展仍值得认可。
图：英特尔A18芯片遭质疑（图源：英特尔）
不过，台积电的 N3 技术在早期的缺陷密度相对较高，但在五到六个季度内下降至与 N5 类似的水平。这为英特尔 18A 工艺未来的改进留有空间。此外，博通发言人向路透社表示，他们尚未完成对英特尔 18A 技术的最终评估，暗示这一合作的评价仍在进行中。
作为全球领先的电信设备芯片供应商和合同芯片设计商，博通为谷歌开发 TPU AI 处理器，也被传正在为 OpenAI 设计芯片。博通是台积电的重要客户，对任何希望与之合作的代工厂（包括英特尔）来说都至关重要，但要满足博通的需求并非易事。
早在今年，博通展示了其当时被誉为“全球最大的处理器”——XPU。这款处理器由两个接近制造极限的芯片组成，每个芯片的尺寸为 858mm²，并配有六个 HBM3 内存堆栈，总共 12 个堆栈。相比之下，Nvidia 的 B200 GPU 配备了两个大芯片和八个 HBM3E 堆栈。
生产这样大尺寸的芯片已经是一项巨大成就，而保证其良品率更是一个重要的里程碑。博通与台积电的合作已经在这方面取得成功，这意味着英特尔要在 18A 工艺上取得突破，必须能够以高良品率生产这种规模的芯片。能否在 2025 年达到博通对大芯片缺陷率和良品率的要求仍然是未知数，但从目前的反馈来看，博通似乎对英特尔的表现不够满意。
