据媒体报道，分立器件设计制造商Nexperia BV计划投资2亿美元用来开发宽带隙半导体，例如碳化硅和氮化镓，并准备在位于德国的工厂建设生产基础设施以增加硅二极管和晶体管的晶圆产能。
宽禁带半导体，如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以其独特的性能优势，在功率转换、射频通信等领域展现出巨大的应用潜力。相较于传统半导体材料，宽禁带半导体能够在更高的电压、温度和频率下工作，从而实现更高的效率和可靠性。随着电动汽车、智能电网等产业的快速发展，宽禁带半导体的市场需求持续增长。
Nexperia作为半导体行业的佼佼者，一直致力于技术创新和市场拓展。此次在汉堡的投资，是Nexperia加速宽禁带半导体生产布局的重要一步。通过引入新技术、提高生产效率，Nexperia将进一步提升宽禁带半导体的生产能力，满足不断增长的市场需求。
汉堡工厂作为Nexperia的重要生产基地，一直以其先进的生产技术和高效的生产能力而闻名。此次投资将进一步提升汉堡工厂的技术水平和生产能力，为Nexperia在全球半导体市场的竞争提供有力支持。
图：Nexperia投资2亿美元投资开发宽带隙半导体
值得一提的是，Nexperia所属的Wingtech Technology集团也在积极布局半导体产业。去年，Wingtech Technology承诺投资120亿元人民币在上海临港建设一座新的300mm（12英寸）功率半导体晶圆厂。这一项目的建设，不仅将推动中国半导体产业的发展，也将为Nexperia在全球市场的竞争提供有力支撑。
Nexperia的董事长表示：“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位，使我们能够更负责任地利用可用电能。未来，我们的汉堡工厂将覆盖 WBG 半导体的全部产品系列，同时仍是小信号二极管和晶体管的最大工厂。我们将继续坚持我们的战略，即为标准应用和高耗能应用生产高质量、高性价比的半导体，同时应对我们这一代人面临的最大挑战之一：满足日益增长的能源需求，同时减少对环境的影响。”
展望未来，随着电动汽车、智能电网等产业的持续发展，宽禁带半导体的市场需求将继续增长。Nexperia在汉堡的投资，将为其在宽禁带半导体领域的竞争提供有力支持，并推动公司在全球半导体市场的持续发展。同时，我们也期待看到更多半导体企业加大在宽禁带半导体领域的投入，共同推动半导体产业的创新与发展。
