6月30日，“功率及化合物半导体国际产业论坛”于SEMICON China 2023同期在上海卓美亚喜玛拉雅酒店成功举办。共有19位来自功率及化合物半导体产业链领先企业的讲师亲临现场做报告分享，产业界超300余位观众参加了本次论坛。
SEMI全球副总裁兼中国区总裁居龙先生，出席了此次会议并现场致辞，分享了关于半导体产业的近况和展望。现阶段，整个半导体产业还处于一个下行的周期，但是在功率及化合物半导体产业还是有所成长，一些新应用例如新能源车在推动着产业的发展，未来功率及化合物半导体产业还有很大的成长空间。同时居龙提到今年的展场非常火爆，也代表了整个半导体产业对未来的景气度充满了期待。
江苏能华创始人兼总经理朱廷刚以《日益渗透的氮化镓功率应用》为主题做了演讲。GaN材料在高频领域的应用具有绝对的优势，在目前的产业生态下，GaN有诸多的技术路线，也有很多应用场景；功率器件在碳中和的路上是没有终点的，与SiC相比，GaN作为非常成熟的产业链，在功率器件的比赛中，这个优势将会让GaN插上翅膀。IDM加Foundry模式也将更好地助力江苏能华在GaN功率器件应用领域的贡献。
泛林集团客户支持事业部战略营销副总裁David Haynes分享了《为先进功率电子提供硅刻蚀解决方案》的演讲。特殊制程在半导体器件中的占比一直在提高，在汽车、新能源等趋势的推动下，尤其是功率器件，市场有很大的需求。而今后，硅功率器件依然十分重要，将保持在80%的份额。硅功率器件在良率和器件创新等方面还有很多的挑战，泛林集团将在各领域陪客户一起应对半导体生产过程中的挑战。
山东天岳CTO高超围绕着《碳化硅单晶衬底制备技术和产业相关进展》进行了探讨。SiC的应用领域正在不断地拓展，SiC衬底在MOS器件中成本占比大约在50%，而目前衬底的生长和加工依然还有很多的挑战，比如生长速度慢、质地硬、难以加工和切割等。SiC的生长挑战有晶体的品质和大直径，可以预见8寸SiC的衬底成本短期不会降低，不过随着技术的提高，将来必然会有效降低成本。山东天岳一直致力于提升公司SiC衬底的技术指标，致力于推动SiC器件的发展。
润新微电子副总经理王荣华带来了《后快充时代的氮化镓功率器件产业化》的演讲。消费类市场对于GaN领域是一个开端，GaN在工业电子和汽车电子领域的应用也逐渐越来越重要。在后快充时代，GaN从业者需要考虑如何在消费电子的红海市场中竞争，还有如何向工业电子和汽车电子领域发展业务。消费电子追求极致的性价比，需要大规模经济效益的产能，高端的应用市场需要从外延、器件等方面追求更高的可靠性。润新微电子将致力于推动GaN的应用与发展。
应用材料ICAPS副总裁兼总经理ZHENG YUAN探讨了《下一代电力电子-大批量制造中扩展的挑战和解决方案》。2030年半导体市场将达到1万亿美金，面对如此巨大的市场，现在对成熟制程和功率器件将是很好的一个时机。对于半导体器件而言，下一个电力电子时代，清洁能源、电动汽车等领域将推动功率型器件的增长，尤其是SiC功率器件。应用材料将在SiC器件产业化的领域持续为客户提供优质的解决方案。
北方华创战略发展部副总裁王娜分享了《国产碳化硅装备助力三代半产业腾飞》。在ChatGPT时代下，能源的需求将大幅增加，SiC材料在能源方面的应用会越来越广泛。碳化硅是未来十年半导体发展最好的方向，未来中国必将成为全球碳化硅创新和供应中心。北方华创将持续助力SiC产业技术创新发展，携手共促SiC产业高质量发展。北方华创围绕SiC产业链打造全面装备解决方案，提供长晶、外延、刻蚀、薄膜、高温氧化/激活等多种核心装备解决方案，已实现批量应用，全力支持客户技术创新和迭代。
德国爱思强中国区总经理方子文深入剖析了《化合物半导体的高产能外延解决方案》。目前汽车应用是SiC器件应用的一个驱动力，GaN的应用市场也不容小觑， Micro LED和激光器的应用也在不断增长。外延层掺杂浓度的稳定性和一致性对器件的生长至关重要。爱思强专注于外延设备，帮助客户在SiC，GaN和Micro LED生产领域的获得更低的成本和更高的产能。
常州臻晶总经理兼董事长陆敏关于《6英寸液相法碳化硅长晶技术进展》作了汇报。常州臻晶致力于液相法碳化硅半导体材料和液相法单晶炉设备的研发和制造。液相法是碳化硅长晶三大技术之一，比起PVT和HTCVD，液相法具有扩径容易、Al掺杂容易、长晶速度大、良率高的优势。液相法在中国、日本、韩国均有不同程度的进展，陆博士分析认为液相法的产业化将推动行业发展更多的技术路线，如SiC IGBT的发展成为可能。
意法半导体亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁Francesco MUGGERI，就《塑造一个更绿色的明天：创新技术对可持续性的影响》发表演讲。世界能源的需求量剧增，2020至2030年之间电力需求将增长30%，将带来更多的二氧化碳排放和全球温度提升，能源的可持续发展将越来越重要。意法半导体在SiC MOSFET领域有领先的地位，并且也在积极推动GaN的发展。2027年意法半导体将达成零碳排放，意法半导体的产品也将给客户带来节能减排，创造更好的世界。
鲁汶仪器董事长兼CEO许开东带来了《刻蚀-沉积一体化赋能化合物半导体功率器件的大规模制造》的演讲。化合物半导体器件制程技术的复杂程度在不断的提升，例如对于刻蚀，沟槽的深宽比越来越高，SiC的硬度很高，这就对刻蚀的工艺产生了很大的挑战；另外均匀的薄膜沉积也对器件的性能至关重要。鲁汶仪器的刻蚀和沉积发展将助力于SiC和GaN功率器件的创新和发展，为功率半导体大规模制造做出推动贡献。
Axcelis的应用科学家Fulvio Mazzamuto探讨了《宽禁带半导体制造中离子注入技术进展》。近年来，SiC器件市场规模快速增长，随着需求的增长，应用领域的拓宽，SiC器件生产过程中需要节深条件越来越极端，GaN器件的市场也出现了离子注入的需求。Axcelis将持续为功率器件的制造商提供离子注入的解决方案，帮助客户降低成本，提升产品可靠性。
蔡司显微镜全球半导体业务负责人Thomas Rodgers就《Microscopy Methods for Failure Analysis in Power Semiconductors》展开讨论。从衬底制造，到器件，再到封装，电子显微镜可以应用在化合物半导体各个阶段。拥有多年的电子束光学的技术积累，蔡司电子显微系统的电子束图像拥有优秀的衬度，让工程师在产品研发和失效分析的时候，对目标区域进行准确的观察。蔡司还有诸多其他类别的产品线，从各个方面，帮助科研和工程师对各类材料进行分析。
SPTS的产品管理副总裁Dave Thomas围绕《宽禁带半导体的先进等离子体刻蚀和沉积工艺》发表演讲。电动汽车市场的快速增长是功率器件市场增长的重要因素，5G的推动也是RF器件市场急速攀升，化合物半导体市场前景广阔。随着应用领域的推进，SiC器件对于刻蚀和薄膜沉积的工艺需求越来越复杂，器件的生产和品质把控受到了诸多挑战。SPTS将和客户一起，持续不断地迎接SiC制程技术上的挑战。
大族半导体技术副总经理巫礼杰在《激光技术在功率及化合物半导体产业的应用》的演讲中提到，激光加工技术在功率器件、先进封装等领域中应用广阔，可以做到为衬底切片，激光退火等等。大族半导体成立于2010年，专注于激光切割技术。SiC材料硬度极高，传统采用多线切割，材料损耗大，效率慢，成为制约行业发展的技术瓶颈，随着晶圆尺寸从6寸增加到8寸，传统线切割面临更大挑战。大族半导体激光技术装备将为SiC衬底制备提供助力，让客户的SiC衬底成本更小，产量更高。
赛默飞世尔科技市场及业务拓展资深经理曹潇潇就《Towards More Powerful and Reliable Devices-Thermo Fisher R&D and FA Solutions》展开论述。化合物半导体处在高速增长的市场当中，但同时与传统的硅基器件有更多的挑战，比如晶体生长中的缺陷、量子井的膜层厚度控制等等。赛默飞的电镜产品在化合物半导体产业领域有非常丰富的应用经验，帮助客户快速找晶体、器件出生产过程中出现的缺陷。半导体行业进入到了新的时代，赛默飞世尔的将助力半导体产业，通过纳米技术，帮助产业科研人员加速研发进行，提升产品良率。
协微环境CTO，Kirel Tang分析了《第三代化合物半导体工艺尾气的安全环保解决方案》。尾气处理设备在半导体制造设备中非常重要，它会吸收工艺过程中的有毒有害物质，化合物半导体的制程工艺对废弃的排放和环境的保护提出了更多的挑战。比如在LED生产中，MOCVD制程产生的氢气和氨气；SiC衬底生长过程中也有大量的氢气和氯化氢气体产生，危害生产的安全和人员的安全。协微环境专注于提供客户废气处理解决方案，为客户提供安全的生产环境。
泰科天润应用测试中心总监高远在《我们需要什么样的SiC MOSFET》的演讲中提出，因为在工业和汽车领域的应用，SiC器件的可靠性要求要高于其他功率器件。我们需要的是可靠性高，电性表现一致性好，易用友好的SiC MOSFET器件，同时价格能够让厂商和客户双赢。国产SiC MOSFET需要稳扎稳打，跟上国际发展脚步不掉队就是胜利。泰科天润拥的产线设备齐全，且拥有成熟的生产经验，将不断为中国的SiC器件市场发展做出贡献，给客户提供优质的SiC功率产品。
