派恩杰半导体（杭州）有限公司成立于2018年9月，是全国领先的第三代半导体功率器件供应商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。
创始人黄兴博士于09年起专注于碳化硅和氮化镓功率器件设计研发，师承IGBT发明人B. Jayant Baliga及晶闸管发明人 Alex Huang。黄兴博士深耕功率器件领域10余年，发布了多款高压碳化硅产品，多项发明专利。成立派恩杰后，仅用3年时间就量产多款高压MOSFET产品，始终保持行业领先。
以碳化硅为代表的第三代半导体器件是电力电子领域革命性的成果，目前派恩杰已布局知识产权70+项，其中已授权27项，另掌握碳化硅与氮化镓的全套工艺菜单、筛选测试方案等重要技术机密。
公司技术团队项目有领先的产品技术和持续研发能力，团队成员所拥有的产品技术领先国内3-5年，其中碳化硅MOSFET技术填补国内空白。技术团队本身具有技术知识储备，能够根据市场客户需求完成产品的迭代设计和定制开发，销售团队有精准的客户资源和完整的市场销售渠道。
销售团队成员本身就已经充分掌握国内和亚太区域客户资源，包括国际龙头竞争对手的客户资源，另有从渠道总代理、区域分销商到终端客户的完成推广渠道。运营团队有量产制造经验和完善组织架构履历，项目运营团队均来自上市同行企业，并在国内外同类企业工作多年，核心人员有着10年以上半导体行业工作和管理经验。在行业内有着广泛的人脉资源，有潜在人员储备。
派恩杰产品有SiC SBD，SiC MOSFET以及GaN HEMT等，广泛应用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等场景和领域。成立仅6个月即完成第一款可兼容驱动650V GaN功率器件；同年发布Gen3技术的1200V SiC MOSFET产品，技术指标国内领先；2020年公司推出650V、1700V SiC MOSFET产品，完成三大产品系列布局；2021年公司推出650V、1200V SiC SBD全阵容产品，丰富了650V、1200V、1700V SiC MOSFET产品线，已发布100余款不同型号功率器件。其中SiC MOSFET产品已成功导入整车厂，Tier 1厂商。
