瑶光半导体激光退火设备顺利验收
根据瑶光半导体的官方微博消息，最近他们的激光退火设备已经成功通过了验收。
这台设备已经投入生产并在客户的新生产线上运行。这条生产线的计划是每年生产一亿颗功率芯片和1万片6英寸SiC外延片，同时还包括10万片SiC外延片、JBS、MOSFET功率集成电路等产品。
瑶光半导体自主研发的SiC/Si基激光退火设备广泛应用于硅基IGBT离子掺杂激活和碳化硅背面电极镀膜退火等多种工艺。这个设备具有微秒级的控制系统、晶圆厚度测量功能以及卓越的光学整形装置，为晶圆的退火工艺提供了高效的解决方案。
此前，瑶光半导体是浙江工业大学莫干山研究院引进的重要项目之一，主要从事第三代宽禁带半导体制程设备的研发、生产和销售。目前，公司已经成功研发了闭环温度控制系统、功率芯片背面激光退火方法等多项专有技术。
除了SiC激光退火设备，瑶光半导体旗下的星型SiC MOCVD（ES600)设备预计将在今年第四季度完成研发。
相对于传统的高温热退火技术（RTA），SiC晶圆激光退火技术（LSA）具有升温速度快、控制灵活、热传导浅、能量输出稳定等特点，逐渐成为新一代主流的退火技术。激光退火设备作为这一技术的载体，因SiC等功率半导体的技术升级和需求增长，市场正不断扩大。
在激光退火设备领域，国内市场起步较晚，很多国内企业仍然依赖进口设备。然而，近年来，政府和国内企业加大了激光退火设备的研发力度，加速了国产化进程。目前，国内制造激光退火设备的企业有大族激光、北京华卓精科、成都莱普特、上海微电子等。
随着瑶光半导体等公司的发展，国内激光退火设备市场竞争将变得更加激烈。同时，更多企业的参与将推动行业技术升级，缩小国内企业与国际大厂之间的差距，争取更多市场份额，实现国产替代。
优睿谱成功推出晶圆电阻率量测设备SICV200
优睿谱半导体设备（无锡）有限公司最近成功推出了晶圆电阻率量测设备SICV200，并将很快交付给客户进行验证。
SICV200是一款用于测量硅片电阻率、SiC或其他半导体材料掺杂浓度的半导体量测设备，支持各种不同尺寸的晶圆，包括12英寸晶圆，并可以进行多频率的CV特性分析。该设备有多种尺寸的半自动和全自动方案，符合SEMI标准，可以直接与客户的工厂MES系统连接，实现自动化生产。
优睿谱总经理唐德明博士介绍说，在进行同质外延时，载流子浓度是一个重要的技术参数。目前，行业普遍使用电容电压（CV）法来测量同质外延层的载流子浓度。这种方法可以直接在半导体上形成肖特基势垒，从而测得外延层的载流子浓度，也可以用于监控CVD工艺等，以评估各种半导体材料制造工艺中外延层的载流子浓度和质量，为半导体材料的生产提供依据和支持。
优睿谱成立于2021年，专注于半导体前道量测设备的研发、设计、制造、销售和服务。
前道量测设备是半导体芯片制造过程中的核心设备之一，技术门槛较高，对提高产品良率、降低生产成本、推进工艺迭代起着重要作用。尽管中国大陆已成为全球最大的前道量测市场，但国内厂商的市场份额仍然相对较小。
随着国内半导体行业的快速发展，对前道量测设备的需求不断增加。同时，由于地缘政治和国外企业产能等因素的影响，国产替代的需求变得迫切。
面对技术上的挑战，国内企业正在加速赶超，例如上海精测、中科飞测等公司在前道量测设备领域取得了一定进展。值得一提的是，不久前，中导光电的纳米级图形晶圆缺陷光学检测设备（NanoPro-150）已成功交付。
