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英诺赛科650V 氮化镓增强型功率晶体管INN650N500A
最小订货量：
英诺赛科
650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管。
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英诺赛科650V 氮化镓增强型功率晶体管INN650DA140A
最小订货量：
英诺赛科
采用DFN 5mm x 6mm 封装的650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管。
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英诺赛科150V增强型氮化镓功率半导体INN150LA070A
最小订货量：
英诺赛科
采用FCLGA 3.2mm x 2.2mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。
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英诺赛科100V增强型氮化镓功率半导体INN100W032A
最小订货量：
英诺赛科
采用Solder Bar FCLGA 3.5mm x 2.13mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。
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派恩杰功率元件SiC SBD-P3D12005K2
最小订货量：
派恩杰半导体有限公司
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si...
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派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06010T2
最小订货量：
派恩杰半导体有限公司
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si...
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