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碳化硅产业链迎来爆发拐点 华为投资渗透多重领域

2023年5月18日

编辑:Rokin/中国出海半导体网

 

近日华为举办了智能电动新品发布会,并发布了聚焦动力域的“DriveONE新一代超融合黄金动力平台”以及“新一代全液冷超充架构”的充电网络解决方案。

其中,DriveONE新一代超融合黄金动力平台主要包括面向B/B+级纯电、B/B+级增程混动,以及A级纯电车型动力总成解决方案,目标是不断提升整车度电里程和升油里程,实现同等电池电量下得到更高的行驶里程。

值得注意的是,该平台搭载了高效SiC碳化硅技术,性能、效率、充电速度及续航里程等水平领先业界,华为的碳化硅布局已早早拉开帷幕。

作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅颇受资本市场青睐。碳化硅(SiC)器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点,被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。

本次发布智能电动产品之前,华为在SiC领域的动作以投资布局SiC供应链企业为主。据化合物半导体市场不完全统计,华为通过旗下华为哈勃投资了SiC外延企业东莞天域、瀚天天成,衬底企业山东天岳、天科合达,设备相关企业特思迪,材料相关企业德智新材。

 

 

早在2021年9月,华为发布了《数字能源2030》白皮书,表示未来十年是第三代功率半导体的创新加速期,渗透率将全面提升。

华为的光伏逆变器出货量在全球居首,如果把握了碳化硅的供应,则能很好的对新能源终端器件市场进行把控。华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上,在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过80%,通信电源、服务器电源将全面推广应用。

再者,华为想进军汽车Tier1,碳化硅的作用自然不言而喻。业界推测,华为做如此周密的全产业链战略投资布局,除了实现供应链闭环之外,或将是为了未来建厂。所以华为必须抓住机会,在第三代半导体上,把核心技术掌握在自己手中。

 

 

 

据悉,华为的投资目的主要有四个层面:一,投资自己做不了的产品;二,为自己现有业务或者未来业务投资布局;三,锁定产能;四,以订单为基础主动要求或者帮助被投企业提升技术水平。

华为投资的目的性非常强,只针对自身做不了且有一定技术壁垒的产品投资。华为针对碳化硅衬底和外延进行了非常充分的布局:碳化硅衬底领域,华为投资了国内技术最领先的两家企业,山东天岳和天科合达;碳化硅外延领域,华为投资了瀚天天成和东莞天域。华为叠加自己纵深的业务布局,未来必然要从国内获取大量的产品。

 

 

华为投资渗透碳化硅全产业链

 

目前华为哈勃已投出7家上市公司,分别为天岳先进、思瑞浦、东芯半导体、灿勤科技、炬光科技、东微半导、长光华芯。

 

  • 山东天岳成立于2010年11月,主要产品包括半绝缘型和导电型SiC衬底。据Yole的统计,2019年及2020年山东天岳已跻身半绝缘型SiC衬底市场的世界前三。
  • 北京天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立。为全球SiC晶片的主要生产商之一,公司主要产品为4英寸和6英寸碳化硅晶片,并已启动8英寸晶片研发工作。目前公司拥有一个研发中心和三家全资子公司,产业涵盖SiC单晶炉制造、SiC单晶生长原料制备和SiC单晶衬底制备。
  • 瀚天天成成立于2011年,目前可提供标准的3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,应用于600V—6500V碳化硅电力电子功率器件。
  • 东莞天域是中国第一家从事SiC外延晶片市场营销、研发和制造的民营企业。是国内最早实现6英寸外延晶片量产的企业;已提前布局国内8英寸SiC外延晶片工艺线的建设,目前正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。
  • 特思迪减薄、抛光、CMP的系统解决方案和工艺设备,具有多种丰富的化合物半导体工艺和设备制程技术。可以提供如SiC、GaN等半导体衬底材料的减薄、研磨、抛光、贴蜡、刷洗设备和工艺解决方案。
  • 东微半导体研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验,相继研发了并联SiC的IGBT及宽禁带场效应晶体管。目前量产的并联SiC二极管的新一代高速IGBT,大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性,适合在追求极限效率的系统中使用。

 

华为的订单可以帮助企业获得研发新技术的资金,而华为投资众多半导体企业IPO的背后,比现金更重要的可能是订单,也或者是实打实的常年大额订单。

不管是思瑞浦、灿勤科技,亦或者天岳先进等,都有来自华为源源不断的大额订单。早在四年前,灿勤科技就成为华为的5G陶瓷介质波导滤波器的供应商。2018年灿勤科技的营业收入达近3亿,净利润近0.8亿,同比都增长了100%以上。华为已布局碳化硅赛道多年,未来必然将更加亮眼。


编辑 : Rokin/中国出海半导体网