派恩杰半导体(杭州)有限公司成立于2018年9月，是中国第三代半导体功率器件的领先品牌，主营车规级碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓功率器件。公司拥有国内最全碳化硅功率器件产品目录，碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品覆盖各个电压等级与载流能力，均通过AEC-Q101测试认证，可以满足客户的各种应用场景，提供稳定可靠的车规级碳化硅功率器件产品。
派恩杰半导体拥有深厚的技术底蕴和全面的产业链优势，创始人黄兴博士于09年起深耕于碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发，师承IGBT发明人B. Jayant Baliga教授及晶闸管发明人Alex Huang教授。目前，派恩杰半导体在650V、1200V、1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为Tier 1厂商持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具有优异的性能；能够减小系统体积；提升整体效率；减小散热面积；车规级器件；降低系统成本；降低电磁干扰。 更多 >>
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性此 SiC MOSFET采用 TO247-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET，提供更高性价比。 更多 >>
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频 、高温条件下工作，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性，1700V耐压极适用于众多电力应用场合下接入高压母线的辅助电源，派恩杰对此SiC MOSFET进行优化，可以使用0V电压关断，多种封装形式可直接PIN对PIN直接替换现有高压Si MOSFET和Si IGBT。此 SiC MOSFET采用 TO220-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET，提供更高性价比。 更多 >>
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立即咨询> 描述 碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高 […] 更多 >>
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流，大大提升了系统效率，特别适合在高压高频条件下工作，派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。 更多 >>
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装，具有开尔文引脚，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而提高开关速度，减小开关损耗，提高效率。 更多 >>
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装，具有开尔文引脚，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而提高开关速度，减小开关损耗，提高效率。该产品具有优异的性能；适合硬开关；减小系统体积；能够提升整体效率；拥有车规级器件；适合双向拓扑；减小散热器尺寸；降低系统成本。 更多 >>
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流，大大提升了系统效率，特别适合在高压高频条件下工作。同时解决了Si二极管的耐压极限问题和反向恢复损耗较大的问题，碳化硅二极管成本相对较低，已经广泛使用。派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。 更多 >>
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